(b)在有/无3-MPA的强强散情景下,
(c)比力以及混合SAM上钙钛矿膜的漫钙GIWAXS图像。
(h)比力以及混合SAM上钙钛矿薄膜的钛矿UPS以及IPES光谱。
(d-e)FTO/比力SAM以及FTO/混合SAM基底上的再登质料钙钛矿的TOF-SIMS图谱。
(d-e)比力以及混合系统的强强散失调份子展现的瞻仰图。基于此,漫钙
(b)用于操作以及混合SAM器件的钛矿太阳能电池参数。膦酸在织构化基底上的再登质料吸附工程为高效、在65℃以及50%相对于湿度条件下,强强散
四、漫钙
原文概况:Low-loss contacts on 钛矿textured substrates for inverted perovskite solar cells(Nature 2023, DOI: 10.1038/s41586-023-06745-7)
本文由大兵哥供稿。
(i-j)钙钛矿/比力SAM以及钙钛矿/混合SAM双层的再登质料能级展现图。【导读】
钙钛矿太阳能电池(PSCs)的强强散认证功能最近抵达了26.1%。光电流挨近S-Q最大值的漫钙95%。仍能坚持95%的钛矿峰值功能,
图4 钙钛矿太阳能电池的光伏功能© 2023 Springer Nature
(a)具备纹理FTO衬底的器件架构的展现图。颠倒PSC的PCE逾越了25%。
(d)在Newport认证的一个代表性混合SAM配置装备部署的QSS J-V曲线。经认证的颠倒PSC准稳态PCE为24.8%,在1个太阳光照明下跟踪最大功率点逾越1000小时后,在功能严厉的准稳态(QSS)协议时,
二、
图2 FTO基底上组成的自组装单层的平均性© 2023 Springer Nature
(a)比力以及混合样品的P 2p以及S 2pXPS光谱。这是减速老化条件下最晃动的PSC之一,可是,
(f)FTO(无SAM)、比力以及混合SAM上的钙钛矿膜的相对于强度PL光谱。是当初减速老化条件下最晃动的PSC之一,
(f)在1太阳光照下封装混合SAM器件的MPPT,
三、
(b)2PACz以及3-MPA透射FTIR光谱,仍能坚持95%的峰值功能。散热片温度为65℃,最大限度地削减界面复并吞改善电子妄想。
(d)夹在MoOx以及FTO之间的比力以及混合SAM的横截面HAADF-STEM图像。最高功率转换功能(PCE)的器件在减速老化测试中运行机摇性较差。为了进一步后退功能,光电流挨近S-Q最大值的95%。从而破损了湿度以及热晃动性。膦酸吸附历程中组成的簇会导致SAM拆穿困绕不残缺。本钻研为高效、钻研下场以题为“Low-loss contacts on textured substrates for inverted perovskite solar cells”宣告在驰名期刊Nature上。【下场开辟】
这项钻研开拓了一种共形自组装单层(SAM)作为光规画织构化基底上的空穴抉择性打仗。封装器件在室温下的PCE为24.6%,相对于湿度约为50%。
(c)在吸附失调时组成的2PACz团簇的规范。晃动的PSCs提供了一条颇有前途的道路。从而使膦酸份子平均扩散,可是,它能分解高阶团簇,从而使膦酸份子平均扩散,钻研职员开拓了一种共吸附策略,其PCE逾越了24%。
(c)比力以及混合SAM涂覆的FTO基板的KPFM图像。器件晃动性受限的原因在于空穴传输层中存在挪移性以及吸湿性的p型异化剂,将实用的光规画与低界面斲丧相散漫至关紧张。
(f)揭示了3-MPA作为共吸附剂的熏染。【下场掠影】
克日,颠倒PSCs运用未异化的空穴抉择性触点提供了一种处置妄想,
(g)比力以及混合SAM上钙钛矿薄膜的PLQY。
图3 差距FTO/SAM基底上钙钛矿薄膜的功能© 2023 Springer Nature
(a-b)聚积在比力以及混合SAM上的钙钛矿膜的瞻仰SEM图像。它能分解高阶团簇,晃动的PSCs的开拓提供了思绪。有望后退运行机摇性。封装器件在室温下的PCE为24.6%,
一、在65℃以及50%相对于湿度条件下,所制备钙钛矿PCE为25.3%,在设定的光阴段内组成的2PACz簇的总数。所制备的钙钛矿PCE为25.3%,其认证功能(约24%)需要进一步后退。因此作者开拓了一种共吸附策略,MD模拟表明膦酸吸附历程中组成的簇会导致SAM拆穿困绕不残缺。
(e)在QSS条件下丈量的颠倒PSC的认证功能。份子能源学模拟表明,最大限度地削减界面复并吞改善电子妄想。在1个太阳光照明下跟踪最大功率点逾越1000小时后,【数据概览】
图1 有/无份子削减剂的膦酸吸附的MD模拟© 2023 Springer Nature
(a)膦酸2PACz以及双官能化合物3-MPA的化学妄想。经认证的颠倒PSC准稳态PCE为24.8%,美国西北大学Edward H. Sargent教授散漫瑞士洛桑联邦理工学院Michael Grätzel等人将共形自组装单层(SAM)作为光规画织构化基底上的空穴抉择性打仗。
最近的钻研表明,与SAM或者3-MPA涂覆的FTO基底的ATR-FTIR光谱妨碍比力。其PCE逾越了24%。(c)混合SAM器件的EQE以及积分Jsc曲线。